电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关?掺杂浓度不就决定了一部分电子的浓度,和空穴浓度?为什么无关

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/10 15:46:35
电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关?掺杂浓度不就决定了一部分电子的浓度,和空穴浓度?为什么无关

电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关?掺杂浓度不就决定了一部分电子的浓度,和空穴浓度?为什么无关
电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关?
掺杂浓度不就决定了一部分电子的浓度,和空穴浓度?为什么无关

电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关?掺杂浓度不就决定了一部分电子的浓度,和空穴浓度?为什么无关
"电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关"是正确的.
比如一个n型的半导体,参杂的量多的时候,其电子浓度很大,但是空穴浓度会很小,因此他们的乘积仍然是一个常数,而这个常数和温度有关,温度上升时,这个常数会变大.因此参杂浓度的高低会导致空穴和电子浓度的此消彼长.
当然,你不用担心参杂太多时,参杂的浓度会超过这个常数.原因是,参杂有个底线的,参杂多了就不在是半导体了,有可能变成其他的材料,因此材料在半导体范围内的时候,电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数这个表述是正确的.

电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关?掺杂浓度不就决定了一部分电子的浓度,和空穴浓度?为什么无关 电子浓度和空穴浓度乘积为什么是常数? 电子浓度等于空穴浓度 关于导带、价带的问题:P型半导体价带上面电子浓度和空穴浓度那一个大?我只知道本征半导体导带上面的电子浓度是很小的,也就是说价带上的空穴浓度是很小的.可是如果P参杂了以后,空穴 在一定温度下AgCl水溶液中,Ag+和Cl-浓度的乘积是一个常数.这句话错在哪?难道一定要是饱和状态吗?不饱和的时候Ag+和Cl-浓度的乘积不是也没变吗? 为什么AgCl水溶液中.只有在饱和状态下Ag+和Cl-的浓度乘积才为一个常数 一定温度下AgCl水溶液中,银离子和氯离子浓度的乘积是常数,这句话对吗 氯化银的饱和液中,氯离子和银离子物质的量浓度的乘积是一个常数.现把足量的AgCl 放到下列物质中:①20mL0氯化银的饱和液中,氯离子和银离子物质的量浓度的乘积是一个常数。现把足量的A (高二化学)酸性与碱性稀溶液中的H+ 和 OH-浓度...为什么 酸性与碱性稀溶液中的H+ 和 OH-浓度的乘积常数是 1*10^-14 呢,为什么不是大于这个常数呢?在中性溶液或纯水中 H+ 和 OH- 的浓度不是已 氢离子浓度与醋酸根离子浓度的乘积比醋酸浓度,在醋酸稀释时的变化是即时浓度,不是平衡浓度 半导体稳定扩散和平衡态有什么区别稳定不变的光照下,半导体中电子和空穴浓度保持不变,为什么还说半导体处于非平衡状态呢?此时产生率与复合率相等吗? 模拟电路空穴与自由电子浓度下降时会导电,这是为什么?pn结:模拟电路在交界处空穴与自由电子浓度下降时会导电,这是为什么? 三极管β的计算β值是和材料的特性有关的,本质上说和IC没有关系,求高人解释β与材料参数如空穴、电子浓度,扩散系数、电子寿命等的关系 或参考解释a=(1-p*d*D/(n*D*L))*(1-D^2/(2*L^2)) β=a/(1-a) N型半导体电子的浓度比空穴的浓度高得多,挡在两端加电压时,主要由电子定向流动形成电流?这句话对吗? 为什么米氏常数与酶浓度和底物无关书上都说Km是酶的特征常数,只与酶的性质有关而和底物浓度以及酶浓度无关可是为什么呢? 为什么溶液电离出来的各种离子浓度的乘积跟溶液中未电离的分子浓度之比值也是一个常数 杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为( ).A.N型半导体B.P型半导体C.电子型半导体 为什么半导体LED温度升高,电子与空穴的浓度会增加,禁带宽度会减小,电子迁移率将减小?请特别解释下电子为什么迁移率将减小哦.